#產業隊長張捷盤中技術分析
第3代半導體70%關鍵技術在長晶，
碳化矽（SiC）取代矽當作襯底是一開始要長出ingot的關鍵，
太極轉投資持有55%的盛新材料（中科院的技術目前在盛新）。
有沒有人幫大家研究？？
1.盛新科技成立於2020年6月，資本額4億3,000萬元，主要業務以SiC之第3代半導體長晶、切晶為主，主要股東為太極55.4%、廣運8.6%、集團員工24%。規畫未來2年～3年內掛牌上市。
2.母公司廣運機械持股：89.16%金運科技：OEM/ODM、工控/車載專業代工、28.83%太極能源：太陽能單/多晶電池、第3代半導體材料碳化矽。
3.產品包含：自製長晶SiC晶圓及晶種、4吋及6吋半絕緣型、4吋及6吋導電N型。
4.未來產能規畫：2021年設備15台，產能400片；2022年預計設備達50台，2022年上半年生產仍以4吋半絕緣為主，產能800片～1,000片，2022年下半年開始量產6吋半絕緣，產能1,600片～2,000片；2023年預計設備達70台～80台，預計6吋產能可達3,200片。
5.客戶試產3階段：第1階段測試1片～3片／顆、第2階段10片～50片／顆、第3階段100片以上／顆（接近量產）。
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sic公司 在 [新聞] 隨著Wolfspeed與Soitec相繼宣布8吋SiC晶- 看板Stock 的推薦與評價
原文標題：
隨著Wolfspeed與Soitec相繼宣布8吋SiC晶圓量產，預估將帶動擴產趨勢
原文連結：
https://bit.ly/3NbIUv7
發布時間：
2022/5/13
記者署名：
Kyle
原文內容：
Soitec於2022年5月初發佈其首款8吋碳化矽SmartSiC晶圓。使得Soitec的碳化矽（SiC）
產品組合已經擴大到6吋晶圓以上，這標示著SmartSiC晶圓的開發提升到一個新的水準，
並滿足汽車市場不斷成長的需求。
首批 8吋SmartSiC基板誕生於 Soitec 與 CEA-Leti 合作，位於法國Grenoble基板創新中
心的試產線。2022 年 3 月，Soitec在法國Bernin啟動了新晶圓廠Bernin 4的建設，用於
生產6吋和8吋 的 SmartSiC晶圓。目前預計Bernin 4將於 2023 年下半年投入量產行列。
基本上，Soitec 獨特的 SmartSiC技術能夠將極薄的高品質碳化矽層鍵合到電阻率極低的
多晶碳化矽晶圓上，從而顯著提高電力電子設備的性能與電動車的能源效率。
對於Soitec來說，8吋Smart SiC晶圓的發佈是其技術開發和部署的一個重要里程碑。這也
可以鞏固Soitec的技術領先地位，並推動創新和推出下一代晶圓技術的能力。
至於碳化矽技術和製造的全球大廠Wolfspeed也於5月初宣佈，其位於美國紐約州Mohawk
Valley，以10億美元興建的8吋晶圓工廠正式開始啟用，這將有助於該公司推進諸多產業
從矽基礎的產品轉向碳化矽基礎的晶片。
Wolfspeed還宣佈，Lucid Motors的高性能純電動車Lucid Air將採用Wolfspeed的碳化矽
電源裝置解決方案。除了Lucid，2021年Wolfspeed還曾經宣佈與通用汽車簽署一項策略供
應協定，將為通用EV提供碳化矽功率裝置解決方案。
與矽材料晶片相比，8吋和6吋碳化矽生產的主要差別在高溫製程上的挑戰。例如：高溫離
子注入，高溫氧化，高溫啟動等，以及這些高溫製程所需求的硬式遮罩層製程等。
這也是已經擁有8吋碳化矽基板技術的Wolfspeed、II-VI（高意）、SiCrystal（已經被
ROHM收購）、意法半導體、Soitec等公司中，只有Wolfspeed和Soitec已經宣布可利用8吋
晶圓量產。至於特斯拉Model 3的碳化矽模組供應商意法半導體，也還在擴建自己的8吋碳
化矽晶圓廠中。
其實，要將碳化矽往更大晶圓面積發展的挑戰並非那麼簡單，這也是為什麼碳化矽從4吋
走向6吋晶圓的過程中，4吋晶圓到2020年產能仍超越6吋的原因。不過，往8吋晶圓發展是
趨勢，也是碳化矽廠商想要鞏固其獲利與競爭力的關鍵。因為碳化矽的初始晶圓成本占
1200V SiC mosfet外延晶圓成本的60%以上。8吋碳化矽晶圓是擴大產量的關鍵一步，未來
廠商也勢必將前仆後繼往8吋晶圓擴廠。
心得/評論：
從獲利角度來看，由於Wolfspeed從6吋晶圓轉換至8吋晶圓製造的緣故，毛利率將從30%出
頭提高到50%以上，使得未來幾年Wolfspeed也將從虧損轉變至獲利，並於2022年之後獲得
8吋晶圓製造帶來的好處。這勢必將帶動更多廠商於未來幾年陸續往8吋晶圓工廠移動。
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