#電源設計 #功率元件 #碳化矽SiC #太陽能逆變器inverter #溝槽式閘極功率金氧半場效電晶體TrenchGatePowerMOSFET
【降低開關損耗=提升電源效率】
近年來隨著人工智慧 (AI) 和物聯網 (IoT) 的發展與普及,市場對損耗更低的碳化矽 (SiC) 元件寄予更高的期望。全新溝槽閘結構 SiC MOSFET 產品,採用四引腳封裝,可充分發揮 SiC MOSFET 本身的高速開關性能。與傳統三引腳封裝相比,開關損耗可降低約 35%,有助大幅降低各類應用裝置的功耗,適用於有高效率需求的伺服器電源、基地台、太陽能逆變器及電動車充電站等應用。
演示視頻:
《ROHM 全新 4 引腳封裝 SiC MOSFET》
http://compotechasia.com/a/CTOV/2019/1201/43451.html
#羅姆半導體ROHM #P02SCT3040KR-EVK-001
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