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【 選擇性製程 vs. 傳統製程？精控材料，跨越微縮技術臨界點 】
你能想像，在晶圓不同位置上
精準地移除或放置每一粒材料的原子嗎？
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「這就像是控制暴風雪中，每片雪花落下的位置❄」
應材研究員巧妙比喻選擇性製程技術。
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應材埋首材料解決方案近 20 年，
不斷嶄新突破下，我們的選擇性製程，
能在原子規模下作業，在傳統難以處理的位置，
針對特定材料精準地沉積、蝕刻、修正，
打破製程瓶頸，持續推動 2D 微縮✨
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而傳統製程無法考量材料特性，
對晶圓表面只能採取一致性的處理，
當晶片製程微縮，或採用愈趨主流的 3D晶片設計時 ，
傳統製程便漸漸不敷使用了。
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▍專家解釋：選擇性製程是什麼，如何改善晶片的PPACt
☞https://bit.ly/3piEA1G
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▍ 相關閱讀：選擇性鎢沉積技術，拉近我們與5奈米以下的距離
☞ https://bit.ly/3a1YEPn
【 新．選擇性鎢沉積技術，讓我們與5奈米以下的距離，更近了！】
雖說EUV興起讓我們順利進入5奈米以下的時代，
然而隨著電晶體尺寸縮小，
在製程上也同時為2D微縮帶來了其他的技術瓶頸。
▪ #電晶體接觸電阻成為PPAC阻礙 ▪
傳統上，電晶體接觸通孔需襯上黏著層和氮化鈦阻障層，
接著利用沉積技術產生成核層，最後使用鎢來填滿剩餘空間。
然而襯墊阻障層好似晶片的動脈硬化斑，阻撓電子流動，
嚴重影響PPAC (chip power, performance and area/cost)表現。
▪ #選擇性鎢沉積_鎢填充通孔_PPAC表現更好 ▪
應材全新 Endura® Volta™ 選擇性鎢化學氣相沉積系統
(Selective Tungsten CVD)，
可讓低電阻的鎢原子在電晶體接觸點通孔內
自下而上無分層、無縫、無間隙進行選擇性沉積，
幫助PPAC表現更好；
電晶體的節點微縮與觸點，
也能縮小至5奈米、3奈米，甚至更小。
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👇 看看動畫，30秒瞭解應材新式選擇性鎢沉積技術的神奇
http://blog.appliedmaterials.com/introducing-breakthrough-2d-scaling
👇 前情提要
▪ 應材解決平面微縮的瓶頸，以及為什麼需要更新、更精進的微縮技術
http://blog.appliedmaterials.com/solving-transistor-contact-resistance-requires-materials-engineering-innovations
▪ 接觸電阻嚴重影響晶片功率、性能
http://blog.appliedmaterials.com/transistor-scaling-gated-contact-resistance
7奈米製程技術的接觸通孔直徑只有20奈米。襯墊/阻障層與成核層就佔了75%的通孔體積，只剩下25%供鎢使用。細薄的鎢線具有很高的接觸電阻，會嚴重影響PPAC與2D微縮效果。
https://www.eettaiwan.com/20200721nt21-applied-materials-solves-major-bottleneck-to-continued-2d-scaling/
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