關於 cv量測原理 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. C-V测量- 抖音百科

这类电表（如图1所示）工作原理相对简单。它通过在高电流输出端（HCUR）施加一个交流电压来测量交流阻抗[6]。通过低电流端（LCUR）测量 ...

#12. 半导体C-V测量入门(2)-EDA365 - 电巢

基本测试配置图3给出了一种基本的C-V测量配置框图。由于C-V测量实际上是在交流频率下进行的，因此待测器件（DUT）的电容可以根据下列公式计算 ...

#13. 半导体C-V测量基础

根据这时的反型区电容，可以推算出多数载流子的数量。这一基本原理同样适用于MOSFET晶体管，只是它们的物理结构和掺杂更加复杂。 在偏压扫过这三个 ...

#14. 电容电压（C-V）性测试仪原理

电容电压（C-V）性测试仪是测试频率为1MHz的数字式电容测试仪器。用于测量半导体器件PN结势垒在不同偏压下.

#15. 半導體第六章| PPT

( b ) ø 3 pulsed to a higher voltage for charge transfer. 由一連串MOS 二極體陣列構成，可做信號處理及影像感測。 47. 6.2 MOS 的基本原理基本的 ...

#16. 電壓電容量測方案- 產品介紹

檢測半導體或電性元件之電壓電流特性與電壓電容特性曲線，對元件做電性量測分析。 C-V量測(電容電壓量測)，普遍被使用來決定半導體參數，如摻雜濃度 ...

#17. 半導體元件參數分析(I-V Curve)

可協助驗證及量測半導體電子元件的參數與特性，如：電容-電壓(C-V)、電壓-電流(I-V)、電阻(R)、電容(C)、電感(L)和訊號波形(Waveform)等。

#18. 銅銦鎵硒薄膜太陽能電池光電特性量測技術

three capacitance-voltage (C-V) techniques, including general C-V method, admittance spectroscopy, drive-level ... 奈秒到數百個奈秒，因此量測原理是利用超快雷射.

#19. 掃描電容顯微鏡分析技術及其在矽晶圓表面分析之應用

本文將介紹SCM. 的基本架構、量測原理與一般的橫截面SCM 試片製備方法 ... 兩者皆為破壞性的量測技術，唯一的非破壞性測量. 方法是傳統電性量測中的電容－電壓(C-V) 量測技.

#20. 使用電化學電容電壓(ECV)法量測砷化鎵銦

... 原理是利用電解液和半導體形成蕭特基(Schottky) 接觸， ... 和傳統金屬半導體蕭特基(Schottky) 接觸C-V量測法比較，其優點為量測深度不受崩潰 ...

#21. [問題] C-V量測為什麼要用不同頻率掃?? - 看板Physics

另外是請教大家要看關於CV量測的書要找哪些書我找了半導體& 工程材料的書都沒有完整講解C-V量測原理感謝~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◇ From ...

#22. mos cv量測的問題包括PTT、Dcard、Mobile01，我們都能挖掘 ...

另外網站半導體元件與物理- 聯合大學也說明：為了便利於MOS原理的探討，通常假設金屬的work function 與半導體. 的work function是相等的。 ... flat band 的判斷顯示 ...

#23. cv量測原理在Youtube上受歡迎的影片介紹|2022年07月

通过测量MOS电容高频和低频时的C-V曲线，可以得... 量级），而不象金属中那样， ... 实验原理. 直流输入特性. MOSFET是用栅电压控制源漏电流 ...

#24. 详解半导体器件C-V特性测试

进行C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行 ... 它是如何提高LED灯的可靠性的？ 火焰传感器的特性是什么？一文读懂其工作原理.

#25. 奈米電性之掃描探針量測技術

原理 。EFM 在儀器架構上如圖五所示，此一系統在. 以AFM 掃描表面形貌的同時亦偵測A1 ... 由於在半導體元件分. 析上常需要量測電容-電壓關係，如C-V 量測，因. 此SCM 在這 ...

#26. 電性掃描探針顯微鏡

束反射方向的改變，經由量測雷射反. 射光束的位移量，即可得知對應的表. 面形貌變化程度。 掃描電容顯微鏡的量測原理可說. 是傳統電容－電壓(C-V)量測技術的延. 伸，透過奈 ...

#27. 循環伏安法(Cyclic Voltammetry )

CV 儀器原理. CV動畫. 實驗範例. 實驗影片. Page 8. 儀器原理--循環伏安儀基本電路圖 ... • 利用CV偵測Fe(CN). 6. 3–. Fe(CN). 6. 4– 之E. 0'. 及n值. • 探討掃描速率及濃度對 ...

#28. 電性故障分析(EFA)

技術原理. 電性量測的目的，是為了驗證及量測半導體電子元件的參數與特性，如電壓 ... C-V 測量、電感測量和IC 直流/交流測試。 圖 (a) NMOS Vds-Ids 特性曲線. 圖 (b) ...

#29. 第二章電化學原理與實驗儀器

第二章電化學原理與實驗儀器. 不同於超高真空環境，雖然同樣使用在研究磁性超薄膜 ... CV 量測，電流. 峰值為正表示電極上有氧化反應發生；電流峰值為負表示電極上有還原 ...

#30. 使用電化學電容電壓(ECV)法量測砷化鎵銦

和傳統金屬半導體蕭特. 基(Schottky) 接觸C-V量測法比較，其優點為量測深度不受 ... 8 3.2 電化學電容電壓ECV量測原理..........9 3.3 化學電容電壓ECV蝕刻原理 ...

#31. 第26卷第3期

用此法进行MOS C-V 测量,能快速直接地对氧化后的Si 片进行界. 面质量监控. 测量原理. -. Si MOS 电容能带如图1所示,这里以P型硅为例。图中Es为费密能级;E为导带. 底;E为价 ...

#32. 金屬氧化物半導體場效電晶體

... 原理和1947年蕭克利等人發明的雙載子接面電晶體截然不同，且因為製造成本低廉與 ... 量。 金氧半場效電晶體在數位電路上應用的另外一大優勢是對直流訊號而言，金氧半場 ...

#33. 一种非接触无损伤的测量外延soi外延层电阻率的方法

其原理为：用电容-电压(C-V)法测量外延层掺杂浓度和电阻率。在测试时，汞探针与硅片表面相接触，形成一个金属-半导体结构的肖特基结。汞探针和 ...

#34. 吉時利4200A-SCS 參數分析儀

精確的C-V 特性分析. 使用4215-CVU，Keithley 最新的電容-電壓單位(CVU)，來量測單數位毫微微法拉。透過將1 ...

#35. 半导体C-V测量基础 - 电子设计应用

C-V 测量为人们提供了有关器件和材料特征的大量信息通用测试电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET ... 这一基本原理同样适用于 ...

#36. 使用說明書

... 測，其量測線路及原理與電阻的相位量測相同. (請參考223). 234 電容極性量測. (1)漏 ... D1、D2、V5、CV、P1、P2、P3、P4、P5等測試模式。作. 電容或電感測試時，可選擇DC ...

#37. B1500A 半導體元件參數分析儀

Keysight B1500A 半導體參數分析儀是多合一元件特性分析儀，可對大多數電子元件進行IV、CV、脈衝/動態IV 量測。

#38. 多频率电容测量单元（MFCMU）

除了测量切换和测量精度这两个方面，B1500A 和SCUU 组合还能处理CV 测量补偿、连接和返回路径问题。您无需对CV 测量原理详加了解，仪器能够自动完成上述操作。 使用 ...

#39. 電子負載基本原理

電與放電循環特性測試。 太陽能面板– 是進行高功率PV 測試的絕佳解決方案，具備在低成本下汲入. 高電流的能力。使用CV 模式來擷取I-V 曲線與增量電壓，即可量測電流。

#40. 如何巧用C-V曲线来查Case（转） - 半导体技术博客

... C-V曲线来判定Vt 的Case是由于什么造成的，其实同时也是为了介绍这个MOS ... (当然实际case过程中，我们都是fix 频率比如100MHZ去测量的)。 2) 衬底 ...

#41. 阻抗分析儀(10Hz~130MHz), TH2851-130

... C-V特性液晶單元:介電常數、彈性常數等C-V特性. 立即詢價. 瀏覽更多內容. 產品型錄下載 ... 3. 採用目前先進的自動平衡電橋原理及四線式量測技術確保0.08%的精確度 4. 最快 ...

#42. 半导体C-V测量入门(1)

根据这一反型区电容，我们可以确定多数载流子的数量。MOSFET晶体管也具有类似的基本原理，只是它们的物理结构和掺杂情况更加复杂。 在将直流偏压扫过图 ...

#43. 碳化硅载流子浓度测量

汞探针C-V测试法是较为常用的，可以测试载流子浓度、掺杂浓度、电阻率等。 原理是形成肖特基势垒——金属与半导体接触，这里是液态金属汞与碳化硅接触。

#44. 電漿處理或快速熱回火於MOHOS 電容器儲存層之研究

第二章非揮發性記憶體的基本原理…………………………………20. 2.1 穿隧機制 ... C-V 特性曲線量測是使用HP4284A precision LCR meter。量測頻. 率皆固定在1MHz，閘 ...

#45. 循环伏安法的基本原理与实验操作

CV 曲线一般通过电化学工作站测试得到。除了测量CV曲线，电化学工作站还可以实现线性扫描伏安法、阶梯波伏安法、Tafel图、计时电流/电量法、电化学噪声测量 ...

#46. 電學基本量測

二、原理：. (一)電源供應器(power supply). 不論負載如何改變，輸出電壓仍能維持不變的電源. 稱為恆壓源，一般以CV 符號表示；不論負載如何改變，.

#47. 1.2.1 電化學分析儀

電化學領域中有三十種以上的電化學方法可做分析應用，本章中我們針對幾種基本常用的方法進行介紹，包含循環伏安法(Cyclic Voltammetry, CV) ... 常用於電池電位差的量測。此外 ...

#48. 非接觸多點面電阻測量系統 - Quatek

... 測量設備。它可以通過電腦進行控制，編輯測試需要測試的矽片大小，測試點位數量，運用渦電流非接觸式的量測原理進行測量，可以通過軟體輸出2D/3D Mapping圖，更高效的 ...

#49. 半導體實驗期末報告| PDF

n type 和p type 的MOS 電容C-V 曲線：. 二、此元件是n type 還是p type. 觀察對比上圖(n type 和p type 的MOS 電容C-V 曲線)以及實驗量測得到的C-V. Curve 可知，此原件 ...

#50. 逢甲大學電子系FCU ADPR LAB - 研究資訊

輸入脈衝訊號使元件的偶極子轉換，進一步量測電容C-V、P-V特性作為突觸權重，利用 ... RRAM的操作原理則為兩端電極外加電壓，使金屬氧化物的電阻由原來的高電阻變為低 ...

#51. 您不可不知的直流電源供應器10 個基本原理

簡介. 了解如何妥善操作量測工具，藉以有效地改善測試方法。利用現代電源. 供應器具備之效能與安全特性，您可靈活地建立更簡易且更有效的測試.

#52. 行政院原子能委員會委託研究計畫研究報告

本計畫預計利用精準半導體電性量測系統釐清電致變色元件劣化的原因，首先. 透過電容-電壓(C-V)量測搭配電壓脈衝(pulse)量測系統，分析元件開關時的功. 率消耗及隨時間 ...

#53. IT-M3300 回饋式直流電子負載

標配溫度量測功能，可測量待測物溫度，並執行過溫度. 保護功能. 電網狀態自動檢測 ... CV+CR模式可應用於類比LED燈，測試LED源的場合，並測. 得LED電流紋波參數。 IT-M3300還 ...

#54. 計算靜電容量的方法

帶電體的電位與帶電量具有以下的比例關係。 Q=CV[C]. 此比例常數C稱為靜電容量，單位以[F：法拉]表示。 電荷量為 ...

#55. 電雙層電容、孔洞洞性碳材

電容測量量儀器原理理及測定方法 ... 2. 從Arduino及CV的測量量結果可知電容性能是0.2M>0.8M>未處理理>0.5M，從此可得. 知我們的自製Arduino測量量系統測出的資料料與CV是 ...

#56. IT-M3300 回饋式直流電子負載

標配溫度量測功能，可測量待測物溫度，並執行過溫度. 保護功能. 電網狀態自動檢測 ... CV+CR模式可應用於類比LED燈，測試LED源的場合，並測. 得LED電流紋波參數。 IT-M3300還 ...

#57. High k/metal gate 金氧半場效電晶體交流電壓下可靠度研究The ...

2 Charge pumping 的方法與原理… ... 為了確認在此條件下，只有drain 端overlap 處造成trapping 形成. 的barreir，圖3.5.1.11 (a)和(b)為兩種CV 量測方式， ...

#58. Electronic Instrumentation and Measurement

NA法:以信號反射原理找出待測物的阻抗，主要應用於射頻及微. 波量測(i.e.高頻)。由量測到 ... Typical C-V measurement conditions. Page 124. 矽晶圓(Silicon wafer C-V)量 ...

#59. 離子感測元件之製備及其應用

氫離子感測場效應電晶體的基本工作原理。 18. 2009/3/11. pH-ISFET基本公式 ... 完成所有待測液之量測. C-V量測流程. ➢量測C-V曲線係利用. 電感-電容-電阻 ...

#60. 氧化鋅電晶體之製作及建立其電路元件模型

接著我們藉由射頻CV量測，以高低頻電容法求出其中的缺陷濃度，將上述實驗所得之參數放入模型當中進行模擬。最後，我們考慮電極之接觸電阻，以建立室溫下製作之氧化鋅 ...

#61. DIY一個簡單的CC/CV電池充電器- 電子技術設計

工作原理 CC/CV電池充電方式在充電初始階段採用恆定電流充電，在充電後期當 ... 量測解決方案（是德科技）. 15:30 - 15:50 中場休息. 15:50 - 16:20 根據 ...

#62. 电化学CV 测试仪– 剖面载流子浓度分布测试(ECV ...

仪器介绍：. 电化学ECV 主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半. 导体材料的掺杂浓度分布。 电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是 ...

#63. V3S153-2AAAAABP02 | 機器視覺

尺寸圖IP67監視器 · 尺寸圖帶保護蓋的感測頭(Visionary-B CV) · 尺寸圖評估元件 · 尺寸圖監視器 · 視域 · 視域 · 連接示意圖Visionary-B CV，套件B · 功能原理檢測範圍與2D量測 ...

#64. 電容電壓量測系統

Mercury Probe CVmap Applications: Capacitance-Voltage (CV):. Cd (square wave deep pulse); Cq (square wave quasi static); Ch (square wave high frequency) ...

#65. PPMS - 物理性質量測系統

物理性質量測系統 (Physical Property Measurement System, PPMS) 是近年來受到來自世界各地的材料、物理等領域科學家們注目的新型綜合物理性質測量儀器。一個 PPMS 系統由 ...

#66. 電阻測試儀的測量原理 - HIOKI 日置電機

設置在測試儀的輸出阻抗和測試物的串聯連接的兩端施加電壓的方式。 HIOKI的電阻計是CC方式。高阻計是CV方式，LCR測試儀根據機型可選3種方式。

#67. 半导体专用电化学ECV 掺杂浓度检测电化学CV分布仪（CV测试 ...

电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。 电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体 ...

#68. 阻抗分析仪测量功率MOSFET器件栅极分离电容C-V特性的 ...

传统的LCR表或者阻抗分析仪测量元件阻抗特性的原理均为自动平衡电桥法，由于二者区别仅在于测量阻抗范围和频率范围的不同，后文统一用阻抗分析仪来表示。上述研究表明， ...

#69. 准静态CV法测量硅表面态密度分布及数据处理

采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法在p型硅衬底上沉积了低介电常数绝缘介质的MOS结构;对该样品进行了高频和准静态C-V测试;在给出表面态分析计算的原理 ...

#70. 充電方法| 充電控制IC？ | 電子小百科| 羅姆半導體集體

是一種根據電池的電壓在以恆定電流充電的CC充電和以恆定電壓充電的CV充電模式之間切換的充電方式。 ... 這種充電方法非常適合為自放電量較大的鉛酸電池和不經常使用的應急 ...

#71. 深空乏特性

本計畫提出創新元件結構，利用邊緣蝕刻形成Trench MIS TD展現特殊的電流暫態行為，所採用的原理 ... 金氧半元件形成後，分別量測C-V及I-V特性，對C-V之反轉區所形成之深空乏 ...

#72. 1.電子材料- 2. 電子元件製程

膜厚及組成量測(技術與原理). 4.物理性沉積技術(程序介紹、蒸發、濺鍍、電漿、應用 ... 含I-V,C-V、霍氏測量(Hall)、展阻測量. 3.接觸電阻. 含二點、三點接觸電阻測量四點 ...

#73. 基于电晕的非接触CV法测定碳化硅的载流子

实验表明，Cn-CV法与汞探针CV法的测量结果一致。那么，Cn-CV法的非接触式 ... OLED发光原理、面板结构及OLED关键技术深度解析 · 17. 显示行业常见色域标准 ...

#74. 高頻阻抗分析儀 - microtest

MICROTEST 6632阻抗分析儀提供10Hz-50MHz寬頻率範圍量測元件/材料阻抗特性，量測參數包含|Z|(阻抗)、|Y|(導納)、θ(相位角)、X(電抗)、R(串並聯電阻)、G(電導)、B(電納)、L( ...

#75. 電池充電IC的基本原理

恆壓（CV）充電: 鋰電池的恆壓（CV）閾值通常為每節4.1V至4.5V。充電 IC ... 測試及測量 · 機電產品 · 其它/未分類 · 軟體類 · 解決方案 · 車用 · 運算 ...

#76. 汞探针CV测试在半导体材料研究中的典型应用

2 汞探针经典结构及测试原理. 2.1 汞探针的基本结构. 图1为某典型的汞探针台基本结构，主要由测量平台、阀门 ...

#77. 氫化非晶氮化矽及非晶矽薄膜電晶體之研究

... C-V的量測。 不同的SiH4/NH3比例，對a-SiNx:H薄膜中N/Si的比例有很大的影響，富氮 ... 原理與分析方法 11 2-2-1 N&K analyzer 11 2-2-2 FTIR 12 2-2-3 C-V量測 14 2-2-4 ...

#78. 沉積氧化鎳薄膜於奈米碳片

電泳. 法製備氧化鎳薄膜,CV量測出來的比電容. 值為892Fg-1,而充放電量出來的比電容 ... 13. 胡啟章,電化學原理與方法,. 五南圖書出版公司,台北(2011)。 13. 鄧梅根,電化學 ...

#79. 锂离子电池测试最全总结：原理、方法步骤、数据分析: CV

把电池中的电极过程等同于电阻与电容串、并联组成的简单电路，通过测试设备电化学工作站输入扰动信号，得到相应的输出信号，根据测量得到的电化学阻抗（ ...

#80. principle-isfet

... 測場效應電晶體的基本工作原理。 pH-ISFET 基本公式. 吸附鍵結模型(Site ... 量測系統. C-V. 目前先不討論C-V 量測系統，先著重於I-V 量測系統. I-V. IDS ...

#81. (7023)生物測定法之確效指引

量，可與%CV 相比較；參見附錄）。在此情況下，確效目標可使. 用確效結果，建立預期 ... 同樣地，確效的總結量測值會受對數常態量表的影響。應將預. 測反應紀錄為各個相對 ...

#82. CGM怎麼看？教你判讀連續血糖監測CGM的常見指標

為了管控自己的血糖，糖友往往需要做指尖量測，觀察飲食、運動和藥物對身體的影響。 ... 認識CV (血糖變異係數); 智抗糖App 如何連接CGM 資料？ CGM 是什麼 ...

#83. GOI - 芯知社区 - 半导体

... 原理结构介绍，应该能够建立起比较基础的认识了，下面我们继续讲讲MOS的 ... 半导体C-V测量基础. 半导体C-V测量基础. 品质管理 2019年06月22日 156 点赞 ...

#84. 第一章緒論

I-V & C-V 量測系統（I-V & C-V measurement system）. 規格. 1.CV 量測頻率範圍 ... 在高溫爐原理中通入氣體時，會有不同的反應產生，若. 通入氧氣則可以長成氧化層，氧化 ...

#85. 認識微型感測器

... CV(感測器間差異)≤0.2. 二、布建後維運作業：. 1、定期巡檢：每季或每半年一次 ... ß射線衰減(貝它射線偵測懸浮微粒相對濃度)或慣性質量法微量天平(震盪原理)去量測濾紙重量 ...

#86. MOS电容C-V特性_哔哩哔哩 - Bilibili

半导体实验：MOS结构的 C-V 特性测量 · MOS管工作 原理 · 一个公式都没有MOS米勒电容的通俗讲解 · 让MOS烧的值得振铃,杂散电感知识讲解 · IC Charging Time-16- ...

#87. 電子負載基本原理

太陽能面板– 是進行高功率PV 測試的絕佳解決方案，具備在低成本下汲入. 高電流的能力。使用CV 模式來擷取I-V 曲線與增量電壓，即可量測電流。 可攜式元件– 可對電子負載 ...

#88. 3D為您帶來全新的檢測體驗

紅光雷射. （傳統）. 藍光雷射. （LJ-V）. 9. Page 10. LJ-V 量測原理. 全新開發了可直接連接LJ-V 感. 測頭的輸入模組（CA-E100LJ/. E110LJ）。藉此，即可由CV-X/. XG-X ...

#89. 金氧半二極體、電晶體及其電性討論

氧化層電荷對CV圖的影響（續） • 由平帶電壓的分析可知，當氧化層電荷為正時，CV圖會往左平移，且電荷越多，平移量 ... 測。 Figure 6.13. Cross section ...

#90. 全自动电化学CV分布仪 - 空间光调制器

电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。 电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体 ...

#91. 鉻緩衝層厚度在鈦酸鍶鋇薄膜之介電性質及機械應力之研究

所有的製程介紹、量測. 原理及相關實驗細節與儀器將在本章逐一介紹。 圖3-1MIM 電容 ... 在C-V 量測方面，可看出BST薄膜在不同緩衝層Cr厚度Cr = 0 ~ 3 nm. 的薄膜下的介電 ...

#92. 利用環電位儀偵測氧化還原電位及電流

量測 金屬離子錯化合物之熱力學因子和氧化還原系統，. 研究化學反應的動力學適用於微量分析上(有較好的偵測極限). 應用範圍. 儀器原理--循環伏安儀基本電路圖. Linear-scan.

#93. 無題

Pmos cv曲线半导体C-V测量基础- 与非网MOSFET 的C-V 曲线仿真方法Return To Innocence CMOS工艺PMOS压控变容特性研究- 电子工程世界Web31. Juli 2011 · 由图3可见，Cv ...

#94. 【功率器件研究所】第一课：如何理解功率MOSFET的电特性参数

以上便是UIS的测试原理，其中最为关键的参数便是雪崩电流IAS以及电感器感 ... 在得到如图25的测试波形后，再量测出最大反向恢复电流IRRM，反向恢复时间 ...

#95. 測量系統分析（Msa）作業指導書

測量系統分析步驟： 1. 光激發螢光量測的原理、架構及應用Photoluminescence ... CV / IV 量測系統、薄膜和片電阻的測量儀、以及太陽電池製程中的片電阻與漏電流量的量 ...

#96. 4200A-SCS 參數分析儀

多重頻率C-V 儀器模組會施加直流. 偏壓電壓，並輸出交流電壓通過待測裝置(DUT) 以量測交流. 阻抗，然後量測所得的交流電流和相位角。 AC 量測，從1 kHz – 10 MHz. 4210-CVU ...

#97. 電容、電阻與電路

電容是貯存電荷的元件，而有電荷就會有電場，因此造成電位差。如此，q = C V 的q 與V 就有了，可得C。 （事實上，在電腦RAM 的原理上，電容 ...

#98. 半導體量測理論與實務- 半導體相關- 電子與電機

第四章半導體少數載子量測除了介紹如何利用基本光電原理量測半導體的少數載子特性之外，書中具有各種半導體少數載子特性量測的詳細數學推演與物理解析，包含少數載子濃度與 ...